半导体产业网讯：华微电子(600360)5月31日召开2022年度业绩说明会，公司董事长夏增文，董事、CEO于胜东，董事会秘书孙铖等出席活动，并与投资者进行沟通交流。
吉林华微电子股份有限公司是集功率半导体器件设计研发、芯片加工、封装测试及产品营销为一体的国家级高新技术企业华微电子拥有4英寸、5英寸、6英寸与8英寸多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线，芯片加工能力每年400万片，封装能力每年24亿支，模块每年2400万块。
公司在终端设计、工艺制造和产品设计方面拥有多项专利，各系列产品采用IGBT、MOS、双极技术及集成电路等核心制造技术，其中IGBT薄片工艺、Trench工艺、寿命控制和终端设计技术等国内领先，达到国际同行业先进水平。
公司主要生产功率半导体器件及IC，目前公司已形成IGBT、MOSFET、SCR、SBD、IPM、FRD、BJT等为营销主线的系列产品，产品种类基本覆盖功率半导体器件全部范围，广泛应用于汽车电子、电力电子、光伏逆变、工业控制与LED照明等领域，并不断在新能源汽车、光伏、变频等战略性新兴领域快速拓展。
华微电子2022年实现营业收入19.53亿元，净利润5775万元2022年的研发投入过亿元，持续加强知识产权建设，全年获得超过30项专利授权，占公司现有专利总数的23%、占近3年授权数量的50%，达到历史新高。
“产品创新方面，公司推出多款自主研发多层外延超结MOS、Trench FS IGBT新产品超结MOS产品应用于充电桩、UPS电源等领域，Trench FS IGBT产品应用于新能源汽车、工业变频、光伏发电、白色家电等领域，成功替代国外知名品牌产品，为我国在智能、物联网时代推进产品国产化替代、实现跨越发展培育了新动能。
”于胜东说在华微电子2022年年度董事会经营评述中显示，在研发方面，华微电子完成了第二代多层外延高压超级结技术、载流子存储沟槽IGBT技术、中压SGTMOS、SiC SBD和650V GaN等产品技术研发，实现了具有自身特色的功率半导体工艺平台的建设，进一步完善了产品结构，提升产品竞争力。
（1）超结MOS：第二代超结MOS进入量产阶段，应用于电源及工业领域。
2024年5月上市公司公告称：收到中国证券监督管理委员会下发的《立案告知书》，因公司涉嫌信息披露违反法律法规，根据《中华人民共和国证券法》《中华人民共和国行政处罚法》等法律法规，中国证监会决定对公司立案。股盾网正在办理该股票投资者索赔案，本次监管机构对公司立案调查的具体原因尚未公布，但是股盾网团队认为，依据新《证券法》及司法解释，上市公司实际控制人、控股股东的责任由原来的“过错原则”改为“过错推定原则”，除非能够充分举证证明自身无过错，否则就要承担赔偿责任。这一条规定实际上是相当严厉的，显示惩戒机制更加严厉。
图源：华微电子官网（2）IGBT：根据在白色家电、工业变频、UPS和光伏等领域应用的不同特点，有针对性地优化IGBT产品参数，形成适用于不同应用领域的低、中、高频系列IGBT产品及模块开发载流子存储沟槽IGBT技术，较上一代TrenchIGBT电流能力提升25%，有望在未来几年进一步提升公司IGBT产品的综合竞争力。
（3）中低压MOS：完成SGTMOS产品系列化，具有低导通电阻兼顾耐冲击能力的特点，产品达到国内先进水平，在电源、BMS领域广泛应用（4）宽禁带半导体：完成650V-1200V、5A-40ASiCSBD产品开发，在快充、光伏、大功率电源领域开始示范性应用；在现有GaN HEMT技术平台基础上，完成二代100V-650V高FOM值GaN功率器件开发，同产品规格下芯片面积缩小30%，产品可用于30W-240W充电器、48VDC/DC转换器、通信电源及光伏微型逆变器等领域，。
功率密度及转换效率达到国际先进水平（5）IPM：完成了DBC封装工艺平台的开发和封装外形拓展，产品外形进一步完善，达到国内先进水平，在白色家电、工业控制领域大力推广得到广泛应用关于重点产品研发计划如下：。
1.加快新一代载流子存储IGBT产品系列化，加速超结MOS、中低压SGT MOS和高密度低压Trench MOS产品推广结合自主IDM模式8寸线工艺平台，研发新一代多层外延超结技术，进一步提高电流密度继续深耕光伏、工业控制、白色家电、新能源汽车等领域。
2.推出新一代高密智能功率模块IPM产品，进一步加强与白色家电头部客户的合作；大力推广PM模块产品，在工业控制、光伏风电及新能源汽车领域批量应用3.开发新一代100V/650VGaN功率器件，功率密度提升30%，达到国内领先水平；开发SiC MOSFET工艺技术及产品，在工业及新能源领域布局。
4.依托现有四寸晶圆平台，加大0V-2200V平面175℃结温高压整流二极管及模块产品开发及推广力度；传统的BJT产品逐步向以集成电阻、达林顿结构、MOS+BJT结构等新型结构方向转型，以适应市场多元化需求，同时开发新应用方向，向中高频方向拓展。
5.持续不断深入优化FRD产品、SBD产品以及平面高压MOS产品性能，在不断完善现有产品平台基础之上开发具有正温度系数FRD产品平台，开发具有高极限能力及可靠性的FRD系列产品及模块，开发1500V至3000V高压平面MOS产品平台以及具有高抗冲击特性的TrenchSBD产品平台。
6.拓展具有高dv/dt能力、强电流冲击承受能力的高结温平面结构SCR产品系列，更好地为高端白色家电领域、新能源车载充电领域、工业控制领域重点客户提供产品解决方案针对半导体人才竞争激烈的现状，于胜东表示，华微电子多措并举，通过选、用、育、留全方位努力，引进、培养、稳定人才队伍，给予人才足够的认可与支持，打造企业人才核心竞争力。
在谈及今年的市场格局时，夏增文说，功率半导体器件是全球第二大半导体产业，是工业加工、汽车制造、无线通讯、消费电子、电网输变电和新能源等应用领域的核心，是我国的支柱性、战略性、前瞻性产业近年来，由于国际贸易形势较为复杂，半导体产业的战略地位尤为突出，半导体科技自主可控与国产化替代成为国家科技自立自强、安全智能绿色发展的刚需。
在科技发展与国家战略的双轮驱动下，功率半导体行业呈现强劲发展趋势据夏增文介绍，2023年，华微电子将快速推进产业链垂直整合，以八英寸项目为核心，向上游拓展推进外延项目，保障供应链安全可控；向下游拓展推动封装项目，建立汽车电子封装专线。
从而形成吉林功率半导体完整、坚韧的产业链，加强半导体自主可控华微电子将持续研发新型功率器件、模块、宽禁带半导体产品，加速形成以汽车电子、工业控制、新能源、高端装备制造、网络通信、智能家电等战略性新兴领域为重心的生产基地，实现高端领域国产化替代。
华微电子将以市场为导向，实施全链条垂直整合，推进人才链、创新链、产业链、价值链的深度融合，着力打造国内领先的半导体功率器件产业基地备注：以上信息由第三代半导体产业根据华微电子公开信息整理，仅供参考！
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